5纳米级别芯片，一共才集成了130亿个晶体管，平均一层大概在3～5亿个晶体管之间。
如果合理设计的5纳米级别芯片，至少可以集成300亿个晶体管，性能是目前市面上最强芯是高通骁龙845，骁龙845是一款10nm制程处理器，拥有多达55亿个晶体管。
就算是这样不合理的设计，星图公司的实验芯片，依旧可以集成130亿个晶体管。
另外由于星河半导体的硅片切割技术，也和传统的不一样。
一般来说，三鑫、台基电他们的在硅片上面完成了集成电路之后，就会使用线锯或者激光，对硅片上面的一块块芯片进行切割。
由于硅片本身非常的脆弱，如果一不小心可能让硅片上面的芯片受到影响，为了避免这种情况，硅片上面的芯片之间都是有相当的间隔，这就导致了硅片的利用面积进一步下降。
但是传统的芯片制造之中，这种情况是无法避免的，不然靠得太近，切割出现一点点差错，芯片就要报废。
而星河半导体的切割工艺，是基于c31的物质搬运能力而设计的，可以进行纳米级别的切割。
所以星河半导体的硅片上面是芯片，是密密麻麻的几乎是联在一起。
随着越来越多的原片被完成，张汝京和王博思已经开始在星河半导体的工厂之中准备生产工作了。
半导体的工厂必须采用无尘防静电空间，以及工人穿净化服。
这些主要是为了保证工作环境的颗粒以及温度，湿度达标，任何的颗粒以及温度湿度的不达标都有可能影响制造器件的工作性能以及可靠性。
另外传统的半导体工厂是存在辐射危害的，最严重的事离子注入（半年体检一次，别的工种1年体检一次），因为存在有害离子激发。
光刻其实就和印照片的地方一样，黄光区域也有一定辐射。
其他部门稍微轻微，但是制造厂里一般设备摆放比较密集，有些辐射你即使不在此部门工作也有可能受到，当然很轻微，所以净化服也有一定的防辐射作用，一般来说工作的安全还是可以得到保障的。
当然这些辐射危害对于星河半导体而言，就相对比较少了，因为星河半导体即将采用的
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